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Anorganische Festkörperchemie- und Organometallchemie - Cheatsheet
Kristallstrukturen und Gitterfehler Definition: Kristallstrukturen beschreiben die regelmäßige Anordnung von Atomen in einem Festkörper. Gitterfehler sind Abweichungen von dieser idealen Anordnung. Details: Kristallgittertypen: kubisch-raumzentriert (bcc), kubisch-flächenzentriert (fcc), hexagonal dichteste Kugelpackung (hcp) Punktfehler: Leerstellen, Zwischengitteratome Linienfehler: Versetzungen...

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Kristallstrukturen und Gitterfehler

Definition:

Kristallstrukturen beschreiben die regelmäßige Anordnung von Atomen in einem Festkörper. Gitterfehler sind Abweichungen von dieser idealen Anordnung.

Details:

  • Kristallgittertypen: kubisch-raumzentriert (bcc), kubisch-flächenzentriert (fcc), hexagonal dichteste Kugelpackung (hcp)
  • Punktfehler: Leerstellen, Zwischengitteratome
  • Linienfehler: Versetzungen (Randversetzungen, Schraubenversetzungen)
  • Flächenfehler: Korngrenzen, Zwillingsgrenzen
  • Volumenfehler: Poren, Ausscheidungen
  • Einfluss von Gitterfehlern: mechanische Eigenschaften (Härte, Duktilität), elektrische Eigenschaften, Diffusion

Elektronische Eigenschaften und Bandtheorie

Definition:

Elektronische Eigenschaften eines Festkörpers werden durch das Verhalten der Elektronen im Kristallgitter bestimmt; Bandtheorie beschreibt dieses Verhalten durch Energiebänder und Bandlücken.

Details:

  • Grundlagen der Bandtheorie: Valenz- und Leitungsband
  • Bänderlücke und ihre Bedeutung für Leitfähigkeit: Halbleiter, Metalle, Isolatoren
  • Bloch-Wellenfunktionen und Brillouin-Zone
  • Fermi-Energie und ihre Rolle bei der Bestimmung der Leitfähigkeit
  • Einfluss von Defekten und Dotierung auf elektronische Eigenschaften
  • Beispielmaterialien: Silizium (als Halbleiter), Metalle wie Kupfer
  • Grundlegende Gleichungen: \(E(k) = \frac{\hbar^2 k^2}{2m}\) (Energie eines freien Elektrons), \(\epsilon(k)\) (Energiebandstruktur)

Synthesemethoden von organometallischen Verbindungen

Definition:

Synthese von Verbindungen, die ein Metall-Kohlenstoff-Bindung enthalten.

Details:

  • Grignard-Reaktionen: RMgX (X = Halogenid) mit Elektrophilen
  • Hydrid-basierte Methoden: z.B. LiAlH4, NaBH4
  • Carbonylkomplexe: Bildung durch Reaktion von Metallen mit CO
  • Metathesereaktionen: Austausch von Liganden zwischen verschiedenen Metallkomplexen
  • Oxidative Addition: Einführen eines Metallzentrums in eine bestehende Bindung
  • Reduktive Eliminierung: Umkehrung der oxidativen Addition
  • Alkenmetathese: Austausch von Alkenfragmenten zwischen Molekülen
  • C-H-Aktivierung: Direktes Einführen eines Metalls in eine C-H-Bindung

Spektroskopische Techniken (NMR, IR, UV-Vis)

Definition:

Spektroskopische Techniken (NMR, IR, UV-Vis) zur Strukturaufklärung und Analyse von Verbindungen.

Details:

  • NMR (Kernspinresonanzspektroskopie): Misst Wechselwirkungen von Kernspins in einem Magnetfeld. Relevant: Chemische Verschiebung (\delta), Kopplungskonstanten (J), Signalintensität.
  • IR (Infrarotspektroskopie): Misst Molekülschwingungen. Relevant: Schwingungsbanden, Fingerprint-Bereich (600-1500 cm-1), funktionelle Gruppen.
  • UV-Vis (Ultraviolett- und Sichtbare Spektroskopie): Misst elektronische Übergänge. Relevant: Absorptionsmaxima (\lambda_max), Quantenausbeute, Molarer Absorptionskoeffizient (\epsilon).

Röntgenkristallographie

Definition:

Methode zur Bestimmung der dreidimensionalen Struktur von Kristallen.

Details:

  • Verwendung von Röntgenstrahlen zur Analyse der Kristallstruktur
  • Beugungsmuster und Fourier-Transformation zur Strukturaufklärung
  • Berechnung der Elektronendichteverteilung
  • Ermöglicht die Bestimmung der Positionen von Atomen im Kristallgitter
  • Wichtige Formeln: Bragg-Gleichung \[n\lambda = 2d\sin(\theta)\]
  • Voraussetzungen: Einzelkristalle hoher Qualität
  • Anwendung: Materialwissenschaften, Chemie, Biologie

Halbleiter und elektronische Materialien

Definition:

Halbleiter-Materialien: Materialien mit elektrischer Leitfähigkeit zwischen Isolatoren und Leitern. Genutzt zur Herstellung von elektronischen Geräten und Komponenten.

Details:

  • Element-Halbleiter (z.B. Silizium, Germanium)
  • Verbindungshalbleiter (z.B. GaAs, InP)
  • Bandlücke: Energieunterschied zwischen Valenzband und Leitungsband
  • Doping: Einbringen von Störstellen zur Modifikation der Leitfähigkeit
  • p-Typ (Akzeptor-Dotierung) und n-Typ (Donator-Dotierung)
  • Anwendungsbereiche: Chips, Transistoren, LEDs, Solarzellen

Katalysatoren und ihre industrielle Anwendung

Definition:

Katalysatoren: Stoffe, die chemische Reaktionen beschleunigen, ohne selbst verbraucht zu werden. Wichtige Rolle in industriellen Prozessen zur Steigerung der Effizienz.

Details:

  • Heterogene Katalysatoren: Feste Katalysatoren in Reaktionen mit gasförmigen oder flüssigen Reaktanten
  • Homogene Katalysatoren: Katalysatoren in der gleichen Phase wie die Reaktanten (meistens flüssig)
  • Beispiele: Haber-Bosch-Verfahren (Ammoniaksynthese), Kontaktverfahren (Schwefelsäureproduktion)
  • Katalysatordeaktivierung: Verlust der Aktivität durch Vergiftung, Verkokung oder Sinterung
  • Mechanismen: Adsorption, Diffusion, Oberflächenreaktionen

Präparation und Charakterisierung von Dünnschichten

Definition:

Methoden zur Herstellung und Untersuchung von Materialschichten im Nanometer- bis Mikrometerbereich

Details:

  • Beschichtungsverfahren:
    • Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)
    • Physikalische Gasphasenabscheidung (PVD)
    • Molekularstrahlepitaxie (MBE)
    • Sol-Gel-Verfahren
  • Charakterisierungsmethoden:
    • Röntgenbeugung (XRD)
    • Rasterelektronenmikroskopie (REM)
    • Atomkraftmikroskopie (AFM)
    • Ellipsometrie
  • Wichtige Parameter:
    • Dicke der Schicht
    • Komposition und Struktur
    • Oberflächenrauheit
    • Adhäsion
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