Anorganische Festkörperchemie- und Organometallchemie - Exam.pdf

Aufgabe 1)

Du hast eine Probe aus einem Metall mit einer bekannten kubisch-flächenzentrierten (fcc) Kristallstruktur. Untersuche nun die Art und Auswirkung verschiedener Gitterfehler in diesem Metall.

c)

Diskutiere die Rolle von Leerstellen (Punktfehler) in der fcc-Struktur in Bezug auf die Diffusion. Leite den Zusammenhang zwischen der Leerstellendichte \(n_v\) und der Temperatur \(T\) ab, wenn die Aktivierungsenergie für die Bildung einer Leerstelle \(Q_v\) und die Boltzmann-Konstante \(k_B\) bekannt sind. Verwende die Arrhenius-Gleichung zur Modellierung dieses Zusammenhangs.

Lösung:

Rolle von Leerstellen (Punktfehler) in der fcc-Struktur in Bezug auf die Diffusion

Leerstellen oder Vakanzen sind eine Art Punktfehler, bei dem ein Atomplatz im Kristallgitter leer bleibt. Diese Leerstellen spielen eine wichtige Rolle in der Diffusion innerhalb eines Kristallgitters, da Atome sich bewegen können, indem sie ihre Position mit einer Leerstelle tauschen. Dieser Mechanismus ist besonders wichtig in festem Zustand für die Selbstdiffusion sowie für die Diffusion von Fremdatomen.

• Diffusion und Leerstellen:
• Diffusion ist der Prozess der zufälligen Bewegung von Teilchen von einem Bereich höherer Konzentration zu einem Bereich niedrigerer Konzentration.
• In der fcc-Struktur wird die Diffusionsrate durch die Anzahl und Verteilung von Leerstellen beeinflusst.
• Leerstellen ermöglichen es den Atomen, ihre Positionen zu tauschen und sich durch das Kristallgitter zu bewegen, was die atomare Mobilität erhöht.
• Die Konzentration von Leerstellen in einem Metall erhöht sich mit steigender Temperatur, was zu einer erhöhten Diffusionsrate führt.

• Zusammenhang zwischen Leerstellendichte und Temperatur:

Die Gleichgewichtskonzentration von Leerstellen \(n_v\) in einem Kristall bei einer bestimmten Temperatur \(T\) kann durch die Arrhenius-Gleichung beschrieben werden:

\[ n_v = n_{0} \, \text{exp} \, \bigg(-\frac{Q_v}{k_B T}\bigg) \]

Hierbei ist:

• \(n_v\): Die Dichte der Leerstellen bei Temperatur \(T\).
• \(n_{0}\): Die Anzahl der Atomplätze oder die totale Anzahl potentieller Leerstellenplätze im Kristallgitter.
• \(Q_v\): Die Aktivierungsenergie für die Bildung einer Leerstelle.
• \(k_B\): Die Boltzmann-Konstante.
• \(T\): Die absolute Temperatur in Kelvin (K).

• Herleitung des Zusammenhangs:

Die Gleichgewichtskonzentration von Leerstellen hängt exponentiell von der Temperatur ab und kann abgeleitet werden wie folgt:

1. Beginne mit der Annahme, dass die Bildung einer Leerstelle einen energetischen Aufwand von \(Q_v\) benötigt.
2. Die Wahrscheinlichkeit für die Bildung einer Leerstelle ist proportional zu \( \text{exp} \, \bigg(-\frac{Q_v}{k_B T}\bigg) \).
3. Die totale Anzahl der potentiellen Leerstellenplätze \(n_0\) in einem fcc-Kristallgitter kann als die Gesamtanzahl der Atomplätze betrachtet werden.
4. Folglich ergibt sich die Konzentration der Leerstellen \(n_v\) durch Multiplikation dieser Wahrscheinlichkeit mit der Gesamtanzahl der Atomplätze \(n_0\):

\[ n_v = n_{0} \, \text{exp} \, \bigg(-\frac{Q_v}{k_B T}\bigg) \]

• Zusammenfassung:
• Die Dichte der Leerstellen in einem Metall steigt exponentiell mit der Temperatur, was die Diffusionsrate im Kristall erhöht.
• Bei höheren Temperaturen sind mehr Leerstellen vorhanden, was die Beweglichkeit der Atome im Gitter verbessert und somit die Diffusionsprozesse beschleunigt.

Aufgabe 2)

In einem Silizium-Kristall mit einer Dotierung von Phosphor-Atomen sollen die elektronischen Eigenschaften und die Auswirkungen auf die Leitfähigkeit analysiert werden. Silizium ist ein Halbleiter, dessen Valenzband vollständig besetzt und dessen Leitungsband leer ist. Die Bänderlücke beträgt etwa 1,1 eV. Phosphor fungiert als Donator und lässt zusätzliche Elektronen in das Leitungsband einbringen. Stellen Sie sich vor, ein Silizium-Probe wird auf 300 K erwärmt, und der Einfluss auf die elektronische Struktur und die resultierende Leitfähigkeit soll berechnet werden.

a)

Erkläre, wie die Bandtheorie die elektronischen Eigenschaften von Silizium beschreibt. Beschreibe das Valenzband, Leitungsband und die Bänderlücke. Wie beeinflusst die Dotierung mit Phosphor-Atomen diese Bänder, und warum wird Phosphor als Donator bezeichnet?

Lösung:

Um die elektronischen Eigenschaften von Silizium zu verstehen, ist es wichtig, die Bandtheorie und die Begriffe Valenzband, Leitungsband und Bänderlücke zu erklären.

• Valenzband: Dies ist das höchste Energieband, das bei Null Kelvin vollständig mit Elektronen gefüllt ist. In Silizium, einem Halbleiter, sind die Elektronen im Valenzband stark an ihre Atome gebunden und können bei normalen Bedingungen nicht frei durch das Material fließen.
• Leitungsband: Dies ist das Energieband oberhalb des Valenzbands. Es ist bei Null Kelvin leer und wird es typischerweise auch bei Raumtemperatur sein, es sei denn, Elektronen werden durch thermische Energie angeregt. Im Leitungsband können sich Elektronen frei bewegen und somit den elektrischen Strom leiten.
• Bänderlücke: Dies ist der Energiebereich zwischen dem Valenz- und dem Leitungsband. Für Silizium beträgt diese Bänderlücke etwa 1,1 eV. Elektronen müssen diese Energie aufbringen, um vom Valenzband in das Leitungsband überzugehen.

Die Dotierung von Silizium mit Phosphor-Atomen hat wesentliche Auswirkungen auf diese Bänder:

• Dotierung mit Phosphor: Phosphor-Atome haben fünf Valenzelektronen, eines mehr als die vier Valenzelektronen von Silizium. Wenn ein Phosphor-Atom ein Silizium-Atom ersetzt, wird das zusätzliche Elektron nur leicht an das Phosphor-Atom gebunden. Aufgrund der thermischen Energie bei Raumtemperatur kann dieses zusätzliche Elektron leicht in das Leitungsband übergehen und dort zur Leitfähigkeit beitragen.
• Warum Phosphor als Donator bezeichnet wird: Phosphor-Atome 'spenden' praktisch ihre zusätzlichen Elektronen zum Leitungsband, wodurch sie die Anzahl der freien Elektronen erhöhen. Daher werden Phosphor-Atome als Donatoren bezeichnet. Sie erhöhen die Leitfähigkeit von Silizium, da mehr Elektronen im Leitungsband verfügbar sind, um den Strom zu leiten.

b)

Berechne die Leitfähigkeit von dotiertem Silizium unter der Annahme, dass die Anzahl der Donator-Atome durch den Dotierungsgrad von 1 Phosphor-Atom pro 10⁶ Silizium-Atome gegeben ist. Verwende dabei die Formel für die elektrische Leitfähigkeit ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewlineewline ewline ewline ewline ewlineewline ewline ewline ewline ewlineewline ewline ewline ewline ewlineewline ewline ewline ewline ewlineewline ewline ewline ewline ewlineewline ewline ewline ewline ewlineewline ewline ewline ewline ewlineewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewlineewline ewline ewline ewline ewlineewline ewline ewline ewline ewlineewline ewline ewlineewline ewline bei T=300K ewline ewline ewline ewline ewline. Beachte dabei, dass die Beweglichkeit der Elektronen in Silizium bei dieser Temperatur etwa ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline 1400 ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewlineewline ewline ewline ewline ewline ewline ewline ewlineewline ewline ewline cm^2/Vs beträgt. Berechne zudem die Erhöhung der freien Elektronenkonzentration und die daraus resultierende Leitfähigkeit.

Lösung:

Um die Leitfähigkeit (\(\sigma\)) von dotiertem Silizium zu berechnen, verwenden wir die Formel:

\[ \sigma = q \cdot n_{e} \cdot \, \mu_{e} \]

• q: Die Ladung eines Elektrons (\(1,6 \times 10^{-19} \text{ C}\)).
• \( n_{e} \): Die Konzentration der freien Elektronen.
• \( \, \mu_{e} \): Die Beweglichkeit der Elektronen.

### Schritt 1: Anzahl der Donator-Atome pro cm³

• Die Konzentration der Silizium-Atome in einem Kubikzentimeter Silizium ist:

\[ n_{\text{Si}} = \frac{\text{Dichte von Si}}{\text{atomare Masse von Si}} \times\ \text{Avogadro-Konstante} \]

Die Dichte von Silizium beträgt \(2,33 \ \text{g/cm}^{3}\).

Die atomare Masse von Silizium beträgt \(28,0855 \ \text{g/mol}\).

Die Avogadro-Konstante beträgt \(6,022\ \times\ 10^{23} \ \text{Atome/mol}\).

\[ n_{\text{Si}} = \frac{2,33 \ \text{g/cm}^{3}}{28,0855 \ \text{g/mol}} \times\ 6,022\ \times\ 10^{23}\ \text{ Atome/mol} \]

\[ n_{\text{Si}} \ \approx\ 4,98 \ \times\ 10^{22} \ \text{Atome/cm}^{3} \]

### Schritt 2: Anzahl der Phosphor-Atome (Donatoren) pro Kubikzentimeter

• Angenommen, der Dotierungsgrad beträgt 1 Phosphor-Atom pro 10⁶ Silizium-Atome:

\[ n_{\text{P}} = \frac{n_{\text{Si}}}{10^{6}} \]

\[ n_{\text{P}} = \frac{4,98 \ \times\ 10^{22}}{10^{6}} = 4,98\ \times\ 10^{16} \ \text{Atome/cm}^{3} \]

### Schritt 3: Elektronenkonzentration

• Bei Raumtemperatur (300 K) nimmt man an, dass jedes Phosphor-Atom ein Elektron ins Leitungsband spendet:

\[ n_{e} \ \approx\ 4,98 \ \times\ 10^{16} \ \text{Elektronen/cm}^{3} \]

### Schritt 4: Beweglichkeit der Elektronen

• Die Beweglichkeit der Elektronen beträgt bei 300 K etwa 1400 cm²/Vs.

\[ \, \mu_{e} = 1400 \ \text{cm}^{2}/\text{Vs} = 1400 \ \times\ 10^{-4} \ \text{m}^{2}/\text{Vs} \]

### Schritt 5: Berechnung der Leitfähigkeit

• Nun setzen wir alle Werte in die Leitfähigkeitsformel ein:

\[ \sigma = q \ \times\ n_{e} \ \times\ \, \mu_{e} \]

\[ \sigma = (1,6 \ \times\ 10^{-19} \ \text{C}) \ \times\ (4,98 \ \times\ 10^{16} \ \text{Elektronen/cm}^{3}) \ \times\ (1400 \ \times\ 10^{-4} \ \text{m}^{2}/\text{Vs}) \]

\[ \sigma \ \approx\ 1,1 \ \text{S/cm} \]

Somit beträgt die Leitfähigkeit von dotiertem Silizium bei 300 K etwa 1,1 S/cm.

Aufgabe 3)

Die Synthese von organometallischen Verbindungen ist ein zentrales Thema in der Anorganischen Festkörperchemie und Organometallchemie. Organometallische Verbindungen sind durch mindestens eine direkte Metall-Kohlenstoff-Bindung gekennzeichnet. Es gibt verschiedene Methoden zur Synthese dieser Verbindungen, einschließlich Grignard-Reaktionen, hydrid-basierte Methoden, Carbonylkomplexbildung, Metathesereaktionen, oxidative Addition, reduktive Eliminierung, Alkenmetathese und die direkte C-H-Aktivierung.

a)

Erkläre die Grignard-Reaktion detailliert, indem Du die allgemeinen Reaktionsschritte und die Art der Bindungen beschreibst, die bei der Bildung von RMgX eine Rolle spielen. Vergleiche die Grignard-Reaktion mit einer typischen Carbonylkomplexbildung. Was sind die wichtigsten Unterschiede in Bezug auf Reagenzien, Mechanismus und Anwendungen?

Lösung:

Grignard-Reaktion

• Allgemeine Beschreibung: Die Grignard-Reaktion ist eine Methode zur Synthese von organischen Verbindungen, bei der ein Grignard-Reagenz (RMgX) hergestellt wird.
• Reaktionsschritte:
  • Das Grignard-Reagenz wird durch die Reaktion eines Alkyl- oder Arylhalogenids (R-X) mit Magnesium (Mg) in einem inerten Lösungsmittel wie Diethylether oder THF gebildet.
  • Die Magnesiumatome setzen sich zwischen die Kohlenstoff-X-Bindung des Halogenids und bilden dabei eine neue Kohlenstoff-Magnesium-Bindung und eine Magnesium-Halogen-Bindung.
  • Die resultierende Verbindung hat die allgemeine Formel RMgX, wobei R eine organische Gruppe und X ein Halogen ist.
• Bindungsarten bei der Bildung von RMgX: Während der Reaktion entsteht eine Kohlenstoff-Magnesium-Bindung (C-Mg) und eine Magnesium-Halogen-Bindung (Mg-X).
• Anwendung der Grignard-Reaktion: Die Grignard-Reaktion ist besonders nützlich in der organischen Synthese zur Bildung von Alkohol durch Reaktion des Grignard-Reagenz mit Carbonylverbindungen wie Aldehyden und Ketonen.

Vergleich der Grignard-Reaktion mit der Carbonylkomplexbildung

• Reagenzien:
  • Grignard-Reaktion: Erfordert ein Alkyl- oder Arylhalogenid und Magnesium.
  • Carbonylkomplexbildung: Bezieht sich oft auf die Bildung von Metallcarbonylkomplexen durch Reaktion von Übergangsmetallen mit Kohlenmonoxid (CO).
• Mechanismus:
  • Grignard-Reaktion: Eine nucleophile Addition, bei der das Grignard-Reagenz als Nucleophil fungiert und die Carbonylverbindung (Elektrophil) angreift.
  • Carbonylkomplexbildung: Eine oxidative Addition, bei der das Metallatom das CO-Molekül koordiniert. Dies führt oft zu einem Anstieg der Oxidationsstufe des Metalls.
• Anwendungen:
  • Grignard-Reaktion: Häufig in der Synthese von Alkoholen sowie komplexen organischen Molekülen verwendet.
  • Carbonylkomplexbildung: Essentiell für die Katalyse in der organischen und industriellen Chemie, z. B. in der Hydroformylierung, Fischer-Tropsch-Synthese.

b)

Eine der wichtigsten Anwendungen der oxidative Addition ist die Aktivierung von inert wirkenden C-H-Bindungen. Beschreibe den Mechanismus der oxidativen Addition und give a detailed example of how it enables C-H-Aktivierung. Diskutiere die Bedeutung dieser Reaktionen in der modernen Organometallchemie und nenne ein industrielles Beispiel, bei dem diese Methode verwendet wird.

Lösung:

Oxidative Addition

• Allgemeine Beschreibung: Die oxidative Addition ist ein grundlegender Vorgang in der homogenen Katalyse und der Organometallchemie, bei dem ein Übergangsmetallkomplex in eine höhere Oxidationsstufe übergeht, während gleichzeitig neue Liganden an das Metall koordiniert werden.
• Mechanismus:
  • Ein Übergangsmetallkomplex in einer niedrigeren Oxidationsstufe reagiert mit einem Substrat (z. B. ein Elektrophil wie ein Halogen oder ein Diatom) und bildet eine stärkere, höhere Oxidationsstufe.
  • Das Substrat trennt sich in zwei Fragmente, die beide an das Metall binden, wobei die Bindung zwischen ihnen aufgehoben wird.
  • Dies führt zu einer Erhöhung der Oxidationszahl des Metalls und der Koordinationszahl.
• Beispiel zur C-H-Aktivierung:
  • Ein klassisches Beispiel ist die Aktivierung eines C-H-Bindung durch einen Palladium-Komplex:

     Pd(0) + R-H -> Pd(II)-H-R 

  • Dieser Prozess ermöglicht die funktionelle Gruppen, die direkt an eine C-H-Bindung gebunden sind, umzuwandeln. Beispielsweise kann eine inert wirkende aromatische C-H-Bindung durch oxidative Addition aktiviert werden, um organische Synthesen zu vereinfachen.
• Bedeutung in der modernen Organometallchemie:
  • C-H-Bindungen sind weit verbreitet und schwer aktivierbar, daher eröffnet die oxidative Addition durch die Aktivierung dieser Bindungen viele neue Reaktionswege.
  • Mit dieser Methode können komplexe Moleküle effizienter und selektiv synthetisiert werden, was besonders wichtig für die Entwicklung neuer Materialien und Wirkstoffe ist.
• Industrielles Beispiel:
  • Ein bedeutendes industrielles Beispiel ist die Shilov-Reaktion, bei der Methan durch Platin-Komplexe zu Methanol oxidiert werden kann.
  • Diese Methode findet in der industriellen Umwandlung von Erdgas zu wertvolleren chemischen Verbindungen Anwendung.

Aufgabe 4)

Du arbeitest in einem Forschungslabor der Anorganischen Festkörperchemie und Organometallchemie. Dein Ziel ist es, eine neu synthetisierte Verbindung mittels verschiedener spektroskopischer Techniken zu analysieren und deren Struktur aufzuklären. Dir stehen dazu NMR-, IR- und UV-Vis-Spektroskopie zur Verfügung.

a)

Du hast ein 1H-NMR-Spektrum der Verbindung aufgenommen. Die Spektralanalyse zeigt folgende Signale:

• Ein Singulett bei δ 7.26 ppm mit einer Signalintensität von 2.
• Ein Doublett bei δ 4.55 ppm mit einem Kopplungskonstanten (J) von 7.5 Hz und einer Signalintensität von 1.
• Ein Triplett bei δ 2.15 ppm mit einem Kopplungskonstanten (J) von 7.5 Hz und einer Signalintensität von 3.

Lösung:

Um das ¹H-NMR-Spektrum der Verbindung zu analysieren und mögliche funktionelle Gruppen und Strukturen zu identifizieren, sollten wir die chemischen Verschiebungen (δ-Werte), Kopplungskonstanten (J-Werte) und Signalintensitäten genauer betrachten.

• Singulett bei δ 7.26 ppm (Signalintensität von 2): Ein Singulett im Bereich von ungefähr 7 ppm deutet oft auf aromatische Wasserstoffatome hin, wie sie in Benzolverbindungen vorkommen. Die Intensität von 2 weist darauf hin, dass zwei Wasserstoffatome an dieser Position vorhanden sind. Dies könnte auf eine substituierte aromatische Verbindung hinweisen, wie z.B. ein Benzolring mit zwei gleichwertigen Wasserstoffatomen.
• Doublett bei δ 4.55 ppm (J = 7.5 Hz, Signalintensität von 1): Ein Doublett bei etwa 4.5 ppm deutet häufig auf ein Wasserstoffatom hin, das sich in der Nähe eines elektronegativeren Atoms, wie einem Sauerstoff- oder Stickstoffatom, befindet. Der J-Wert von 7.5 Hz ist typisch für die Kopplung von benachbarten Wasserstoffatomen, die durch eine einfache Bindung voneinander getrennt sind, wie z.B. in einem -CH-CH-Fragment. Die Signalintensität von 1 bedeutet, dass nur ein Wasserstoffatom an dieser Position vorliegt.
• Triplett bei δ 2.15 ppm (J = 7.5 Hz, Signalintensität von 3): Ein Triplett im Bereich zwischen 2 und 3 ppm deutet häufig auf Wasserstoffatome hin, die sich in der Nähe eines sp³-hybridisierten Kohlenstoffatoms befinden. Der J-Wert von 7.5 Hz und die Signalintensität von 3 lassen auf drei äquivalente Wasserstoffatome in einer CH₃-Gruppe schließen, die mit einem benachbarten CH₂-Gruppe eng gekoppelt ist.

Mögliche Struktur der Verbindung:

Anhand der vorliegenden Daten könnte die Verbindung eine aromatische Struktur mit einer Benzolgruppe aufweisen. Ein möglicher Kandidat könnte Ethylbenzol sein:

• Die aromatischen Wasserstoffatome im Benzolring könnten das Singulett bei δ 7.26 ppm mit einer Signalintensität von 2 erklären.
• Das ethylsubstituierte Wasserstoffatom (-CH₂-) könnte das Doublett bei δ 4.55 ppm mit einer Signalintensität von 1 und einem J-Wert von 7.5 Hz erklären.
• Die Methylgruppe (-CH₃) könnte das Triplett bei δ 2.15 ppm mit einer Signalintensität von 3 und einem J-Wert von 7.5 Hz erklären.

Dies ist eine plausible Interpretation der NMR-Daten, aber weitere spektroskopische Daten (z.B. aus IR- oder UV-Vis-Spektroskopie) und analytische Techniken wären hilfreich, um die Struktur abschließend zu bestätigen.

b)

Ein IR-Spektrum derselben Verbindung weist starke Absorptionsbanden bei 1720 cm^-1, 1230 cm^-1 und 1080 cm^-1 auf. Zudem weist es mehrere Banden im Fingerprint-Bereich (600-1500 cm^-1) auf. Identifiziere die funktionellen Gruppen in der Verbindung anhand der IR-Daten und diskutiere, wie diese Informationen die Strukturhypothese aus der NMR-Analyse ergänzen.

Lösung:

Die Analyse der IR-Daten liefert uns wertvolle Informationen über die funktionellen Gruppen in der Verbindung. Die Identifikation der Absorptionsbanden hilft uns, die Strukturhypothese aus der ¹H-NMR-Analyse weiter zu präzisieren.

• Absorptionsbande bei 1720 cm^-1: Diese Bande ist charakteristisch für die C=O-Streckschwingung in Carbonylverbindungen (wie Aldehyde, Ketone, Carbonsäuren oder Ester). In aromatischen Verbindungen ist es üblich, dass die C=O-Gruppe etwas niedriger als 1750 cm^-1 absorbiert, was auf die Anwesenheit einer solchen Gruppe hinweist.
• Absorptionsbande bei 1230 cm^-1: Diese Bande kann auf die C-O-Streckschwingungen in Estern, Ethern, Alkoholen oder Carbonsäuren hinweisen. In Verbindungen, die auch eine C=O-Bande haben, sind Ester eine häufige Quelle solcher Absorptionsbanden.
• Absorptionsbande bei 1080 cm^-1: Diese Bande deutet ebenfalls auf C-O-Streckschwingungen in Alkoholen, Ethern oder Estern hin, und ergänzt somit unsere vorherige Bande bei 1230 cm^-1.
• Mehrere Banden im Fingerprint-Bereich (600-1500 cm^-1): Banden im Fingerprint-Bereich sind komplex und typisch für spezifische molekulare Strukturen. Diese können zusätzliche funktionelle Gruppen und Substrukturen in der Verbindung anzeigen.

Ergänzung der Strukturhypothese aus der NMR-Analyse:

Die Informationen aus dem IR-Spektrum stützen die Hypothese, dass die Verbindung eine aromatische Struktur aufweist. In Verbindung mit den Ergebnissen der NMR-Analyse könnten wir eine detailliertere Struktur mit den folgenden Merkmalen vorschlagen:

• Die starke Bande bei 1720 cm^-1 und die Banden bei 1230 cm^-1 und 1080 cm^-1 deuten darauf hin, dass die Verbindung eine Estergruppe aufweist. Dies könnte ein Ethylbenzoat oder ein ähnliches Aromaten-Ester sein.
• Im Einklang mit der ¹H-NMR-Analyse sind die aromatischen Wasserstoffsignale (Singulett bei δ 7.26 ppm) und die Signale eines ethylsubstituierten Restes (Doublett und Triplett) gut mit der Struktur vereinbar.

Zusammengenommen deuten die NMR- und IR-Daten darauf hin, dass die Verbindung eine aromatische Esterstruktur wie Ethylbenzoat haben könnte. Weitere Bestätigungen könnten durch zusätzliche spektroskopische Daten und analytische Methoden wie UV-Vis-Spektroskopie erfolgen.