Schaltungstechnik - Cheatsheet
Elektronen- und Löcherbewegung in Halbleitern
Definition:
Elektronen und Löcher sind Ladungsträger in Halbleitern. Ihre Bewegung bildet die Grundlage für den elektrischen Stromfluss in diesen Materialien.
Details:
- Elektronen: Negative Ladungsträger im Leitungsband
- Löcher: Positive Pseudopartikel im Valenzband
- Bewegung durch äußere elektrische Felder beeinflusst
- Elektrische Leitfähigkeit hängt von Trägerdichte und Beweglichkeit ab
- Bewegungsgleichung für Elektronen: \[ \vec{v}_n = \mu_n \vec{E} \]
- Bewegungsgleichung für Löcher: \[ \vec{v}_p = \mu_p \vec{E} \]
- \( \mu_n \): Beweglichkeit der Elektronen, \( \mu_p \): Beweglichkeit der Löcher
- \( \sigma = q (n \mu_n + p \mu_p) \)
- \( n \): Elektronendichte, \( p \): Löcherdichte, \( q \): Elementarladung
Common-Emitter- und Differenzverstärker
Definition:
Die Themen Common-Emitter-Verstärker und Differenzverstärker umfassen grundlegende Stellschaltungen in der Elektronik, die in der Schaltungstechnik zur Verstärkung von Signalen verwendet werden.
Details:
- Common-Emitter-Verstärker: Grundlegende Transistorkonfiguration, bei der das Eingangssignal an die Basis und das Ausgangssignal an den Kollektor angelegt wird.
- Gleichstromverstärkung: \(\beta = \frac{I_C}{I_B}\)
- Spannungsverstärkung: \(\frac{V_{out}}{V_{in}} = -g_m \times R_C\), wobei \(g_m = \frac{I_C}{V_T}\)
- Differenzverstärker: Verstärkerschaltung mit zwei Eingängen zur Verstärkung der Differenz zwischen den Eingangssignalen.
- Gleichtaktunterdrückung: \(\text{CMC}_{\text{RR}} = \frac{A_d}{A_{CM}}\)
Grundkonzepte von Gleichspannungswandlern (DC-DC Converter)
Definition:
Elektronisches Schaltungselement zur Umwandlung von Gleichspannung in eine andere Gleichspannung. Wichtig in der Energieversorgung in der Informatik.
Details:
- Arten: Buck (Step-Down), Boost (Step-Up), Buck-Boost (Step-Up/Down)
- Wirkungsgrad wichtig: typ. 70–95%
- Grundlagen: \[V_{out} = k \times V_{in}\] (je nach Schaltungstopologie variiert k)
- PWM (Pulsweitenmodulation) zur Steuerung
- Wichtige Komponenten: Spulen, Kondensatoren, Schalter (Transistoren)
Phasenrauschen und Schwingkreisanalyse
Definition:
Details:
- Phasenrauschen: Unregelmäßigkeiten in der Phase eines Signals, definiert als Rauschspektraldichte in einem bestimmten Frequenzabstand zur Trägerfrequenz
- Formel für das Phasenrauschen: \(L(Δf) = 10 \log_{10} \left(\frac{S(\f_0 + Δf)}{S(\f_0)}\right) \) in dBc/Hz
- Typische Messverfahren: direkte Spektrumanalyse, Phasenvergleichsmethode
- Schwingkreisanalyse: Untersuchung der Resonanzfrequenz und Dämpfung eines Schwingkreises
- Resonanzbedingung: \(f_0 = \frac{1}{2\pi\sqrt{LC}} \)
- Gütefaktor (Q-Faktor): Maß für die Dämpfung, definiert als \(Q = \frac{f_0}{Δf} \)
- Relevante Kenngrößen: Resonanzfrequenz \(f_0 \), Bandbreite \(Δf \), Dämpfungsfaktor
Schutzschaltungen und EMV-Aspekte (Elektromagnetische Verträglichkeit)
Definition:
Schutzschaltungen: Schutz elektronischer Komponenten vor Überspannung, ESD, etc.; EMV-Aspekte: Sicherstellung der elektromagnetischen Verträglichkeit zur Vermeidung von Störungen.
Details:
- Überspannungsschutz: Z-Dioden, Varistoren
- ESD-Schutz: TVS-Dioden, Schutzbeschichtungen
- Filter: LC-Filter, Ferritkerne
- Bildschirmung: Gehäuseerdung, Kabelabschirmung
- EMV-Designregeln: Trennung von Signal- und Leistungskreisen, minimale Leiterschleifen, Vermeidung von Antenneneffekten
- Entkopplung: Kondensatoren nahe an Versorgungsleitungen
- PCB-Layout: Saubere Signalführung, ausreichende Masseflächen
- Störquellen: Schaltregler, HF-Schaltungen
Simulationssoftware und Werkzeuge zur Schaltungsanalyse
Definition:
Software und Werkzeuge, die verwendet werden, um elektrische Schaltungen zu simulieren und zu analysieren.
Details:
- Hauptsoftware: SPICE, LTspice, PSpice
- Fähigkeiten: DC-Analyse, AC-Analyse, Transientenanalyse
- Modelle: Transistoren, Dioden, passives Bauelement
- Ergebnisse: Spannungen, Ströme, Leistungsaufnahme
- Nutzen: Fehlersuche, Optimierung, Design-Verifikation
Verhalten von Halbleitern unter verschiedenen Temperatur- und Spannungseinflüssen
Definition:
Halbleiter zeigen unter verschiedenen Temperatur- und Spannungsbedingungen unterschiedliche Verhaltensweisen.
Details:
- Erhöhung der Temperatur: Leitfähigkeit steigt, da mehr Elektronen aus dem Valenzband ins Leitungsband gehoben werden.
- Absenkung der Temperatur: Leitfähigkeit sinkt, da weniger Elektronen verfügbar sind.
- Spannungserhöhung: Mehr Ladungsträger werden injiziert, Erhöhung von Stromfluss und Leitfähigkeit.
- Halbleiter-Dioden:
- Durchlassrichtung: Geringer Widerstand, hoher Stromfluss bei Erhöhung der Temperatur.
- Sperrrichtung: Erhöhung der Durschlagspannung bei niedrigen Temperaturen.
- Thermische Spannungen: Erzeugung von Leckströmen bei hohen Temperaturen.
- Formeln:
- Leitfähigkeit: \( \sigma = \frac{1}{\rho} \)
- Widerstand: \( \rho = \frac{1}{n q \mu} \)
- Leckstrom (Dioden): \( I_{S} = I_{0} e^{\frac{V}{n k T}} \)