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Grundlagen der optoelektronischen Bauelemente - Cheatsheet
Grundlagen der optoelektronischen Bauelemente - Cheatsheet Grundlagen der optoelektronischen Bauelemente Definition: Grundlagen der optoelektronischen Bauelemente: Interaktion von Licht und Halbleitern zur Erzeugung optischer Effekte und elektronischer Signale. Details: Photonen erzeugen Elektronen-Loch-Paare in Halbleitern. Wichtige Bauelemente: LEDs, Laserdioden, Photodioden, Solarzellen. LED: E...

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Grundlagen der optoelektronischen Bauelemente - Cheatsheet

Grundlagen der optoelektronischen Bauelemente

Definition:

Grundlagen der optoelektronischen Bauelemente: Interaktion von Licht und Halbleitern zur Erzeugung optischer Effekte und elektronischer Signale.

Details:

  • Photonen erzeugen Elektronen-Loch-Paare in Halbleitern.
  • Wichtige Bauelemente: LEDs, Laserdioden, Photodioden, Solarzellen.
  • LED: Elektrolumineszenz durch Rekombination von Elektronen und Löchern.
  • Laserdioden: Verstärkung von Licht durch stimulierte Emission.
  • Photodioden: Umwandlung von Licht in elektrischen Strom.
  • Solarzellen: Photovoltaischer Effekt zur Energiegewinnung.
  • Gängige Materialien: GaAs, InP, Si, Ge.
  • Formeln:
    • Emission: \(E_{photon} = h u\).
    • Stromdichte: \(J = qn\mu E\).
    • Quanteneffizienz: \(\eta = \frac{n_{e}}{n_{photon}}\).

Elektronische Bandstruktur und Bandlücke in Halbleitern

Definition:

Verband freier und gebundener Elektronenzustände in einem Festkörper. Bandlücke (band gap) entspricht dem Energiebereich ohne Zustände zwischen Valenzband und Leitungsband.

Details:

  • Elektronenbandstruktur bestimmt die elektrischen und optischen Eigenschaften von Halbleitern.
  • Valenzband: Besetzte Zustände, in denen Elektronen Energie haben.
  • Leitungsband: Unbesetzte Zustände, die Elektronen annehmen können.
  • Bandlücke \(E_g\) bestimmt Halbleitercharakter: \(E_g\) klein (Leiter) vs. \(E_g\) groß (Isolator).
  • Direkte Bandlücke: Elektronenübergang ohne Impulsänderung.
  • Indirekte Bandlücke: Elektronenübergang erfordert Phononen zur Impulsänderung.

Absorption und Emission von Photonen

Definition:

Absorption und Emission von Photonen bezieht sich auf die Prozesse, bei denen ein Elektron in einem Material Energie in Form von Licht (Photonen) aufnimmt oder abgibt.

Details:

  • Absorption: Ein Elektron nimmt ein Photon auf und bewegt sich von einem niedrigeren in ein höheres Energieniveau.
  • Emission: Ein Elektron fällt von einem höheren in ein niedrigeres Energieniveau und gibt dabei ein Photon ab.
  • Spontane Emission: Emission ohne äußere Anregung.
  • Stimulierte Emission: Ein Photon induziert die Emission eines weiteren Photons gleicher Energie.
  • Energie des Photons: \(E = h \cdot f\), wobei \(h\) das Plancksche Wirkungsquantum und \(f\) die Frequenz ist.
  • Photonenenergie in Halbleitern: \(E = E_C - E_V\), wobei \(E_C\) und \(E_V\) die Energieniveaus des Leitungs- und Valenzbandes sind.

Aufbau und Funktionsprinzip von LEDs

Definition:

LEDs (Licht emittierende Dioden) basieren auf Halbleitermaterialien und erzeugen Licht durch Elektrolumineszenz, wenn durch sie Strom fließt.

Details:

  • Halbleitermaterialien: Typischerweise Galliumarsenid (GaAs), Galliumphosphid (GaP) oder Indium-Gallium-Nitrid (InGaN).
  • P-N-Übergang: Elektronen rekombinieren mit Löchern in der p-Schicht und emittieren Photonen.
  • Wellenlänge (Farbe) des emittierten Lichts abhängig vom verwendeten Halbleitermaterial.
  • Energiebandlücke: Bestimmt die Energie (und somit die Farbe) der emittierten Photonen.
  • Anwendung: Beleuchtung, Anzeigen, Infrarot-Übertragung, u.v.m.
  • Formel zur Berechnung der emittierten Photonenenergie: \( E = hf \) wobei \( E \) die Energie, \( h \) das Plancksche Wirkungsquantum und \( f \) die Frequenz des emittierten Lichtes ist.

Aufbau und Funktionsweise von Fotodetektoren

Definition:

Optoelektronische Bauelemente, die Licht in elektrische Signale umwandeln; Photodioden, Phototransistoren, CCDs.

Details:

  • Wichtige Materialien: Halbleiter wie Silizium, Germanium, GaAs.
  • Funktionsweise: Absorption von Photonen erzeugt Elektron-Loch-Paare.
  • Photostrom: \[ I_{ph} = \frac{q \times \text{Photonenzahl} \times \text{Quanteneffizienz}}{\text{Photonenenergie}} \]
  • Dunkelstrom: Störstrom ohne Licht; temperaturabhängig.
  • Sensitivität: Abhängig von Material und Wellenlänge.
  • Typen:
    • Photodiode: schnelle Responsezeit.
    • Phototransistor: Verstärkungseffekt, höhere Empfindlichkeit.
    • CCD: hohe Auflösung, geeignet für Bildsensoren.

Photovoltaische Prinzipien und Solarzellentechnologie

Definition:

Umwandlung von Lichtenergie in elektrische Energie mittels des photovoltaischen Effekts.

Details:

  • Photovoltaischer Effekt: Elektronen-Loch-Paare durch Absorption von Photonen in Halbleitern
  • PN-Übergang: Trennt Elektron-Loch-Paare und erzeugt eine elektrische Spannung
  • Wirkungsgrad: Verhältnis der umgewandelten zur eingestrahlten Energie
  • Materialien: Silizium (mono- und polykristallin), Dünnschichtzellen (z.B. CdTe, CIGS), organische Zellen
  • Gleichung für Strom-Spannungs-Kennlinie: \[ I(V) = I_{L} - I_{0} \left( e^{\frac{qV}{nk_{B}T}} - 1 \right) \]
  • Leistungsmaximierung durch Maximum Power Point Tracking (MPPT)

Laserarten und Grundlagen der optischen Verstärkung

Definition:

Verschiedene Lasertypen basieren auf unterschiedlichen Mechanismen der optischen Verstärkung. Grundlagen: stimulierte Emission, Besetzungsinversion.

Details:

  • Laserarten: Halbleiterlaser, Faserlaser, Festkörperlaser, Gaslaser
  • Optische Verstärkung durch stimulierte Emission: Photonen regen emittierende Elektronen an
  • Besetzungsinversion: Notwendig für Verstärkung, mehr Elektronen im angeregten Zustand als im Grundzustand
  • Bedingungen für Laseroszillation: Verstärkung > Verluste, Resonanzkavität
  • Wichtige Parameter: Emissionswellenlänge, Verstärkungsspektrum, Schwellenstrom
  • Mathematisch: Verstärkung gegeben durch \(\frac{\text{d}I}{\text{d}z} = \beta I \), wobei \(\beta\) der Verstärkungskoeffizient ist
  • Einheiten: Verstärkungskoeffizient \( \text{cm}^{-1} \)

Nichtlineare optische Effekte in Halbleitern

Definition:

Änderung der optischen Eigenschaften von Halbleitern durch hohe Intensitäten einfallender Lichtwellen.

Details:

  • Treffen einer hohen Lichtintensität: Änderungen in Polarisation
  • Zweite und dritte harmonische Generation: \text{H(2)} und \text{H(3)}
  • Kerr-Effekt: Brechungsindexänderung proportional zur Intensität: \Delta n = n_2 I
  • Selbstphasenmodulation: Frequenzmodulation innerhalb des Pulses
  • Zwei-Photonen-Absorption (TPA): Gleichzeitige Absorption zweier Photonen: \alpha_{TPA} = \beta I
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